삼성전자가 ‘256기가비트 5세대 V낸드’의 본격 양산에 들어갔다.

삼성전자의 5세대 V낸드는 차세대 낸드 인터페이스 ‘Toggle DDR 4.0 규격’을 처음 적용한 제품으로 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠르다.

▲ 삼성전자 5세대 V낸드(사진출처: 삼성전자 제공)

삼성전자의 이번 5세대 V낸드 개발에는 자체 개발한 3대 혁신 기술이 적용됐다.3대 혁신기술은 ▲초고속·저전압 동작 회로 설계 기술 ▲고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술 ▲텅스텐 원자층박막 공정 기술 등이다.

먼저 초고속·저전압 동작 회로 설계 기술 적용으로 5세대 V낸드는 데이터의 입출력 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠른 초당 1.4기가비트(Gb)에 이르고, 동작전압은 33%나 낮춰(1.8V→1.2V) 4세대와 동일수준의 소비전력량으로도 최고성능을 구현한다.

고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술이 적용된 5세대 V낸드는 데이터 쓰는 시간이 역대 최단 수준인 500 μs(마이크로 초)로 4세대 V낸드보다 30% 빨라졌으며, 동작을 멈춘 후 읽기응답 대기시간도 50us으로 기존보다 대폭 줄었다.

텅스텐 원자층박막 공정 기술(Atomic Layer Deposition W, ALD W)을 통해서는 셀 영역의 높이를 20% 낮춤으로써 간섭 현상을 줄여 동작 오류를 방지하고, 동작 인식 범위를 넓혀 데이터를 더 정확하고 빨리 처리할 수 있는 특성을 확보했다.

삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장 경계현 부사장은 “5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다”, “향후 1테라비트와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것”이라고 밝혔다.

<박시현 기자> pcsw@bikorea.net