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삼성전자, 美서 차세대 ‘V낸드 솔루션’ 공개단품 패키지(16단) 기준 2TB 구현 가능
박시현 기자  |  pcsw@bikorea.net
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승인 2017.08.09  07:29:27
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삼성전자가 8일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)’에서 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다.

‘플래시 메모리 서밋 (Flash Memory Summit 2017)’은 매년 미국에서 개최되는 플래시 메모리 업계 콘퍼런스로, 오는 10일까지 열린다.

삼성전자는 이번 서밋에서 ▲‘1Tb V낸드’ ▲서버 시스템 집적도를 향상 시킬 수 있는 ‘ NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD’ ▲기존 SSD보다 성능을 향상시킨 ‘Z-SSD’ ▲신개념 데이터 저장방식을 적용한 ‘키 밸류(Key Value) SSD’ 등 V낸드 기반 신기술을 공개했다.

◆‘1Tb V낸드’ = 삼성전자는 이날 서밋에서 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’ 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 ‘1Tb 낸드’를 공개했다.

‘1Tb 낸드’는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 늘릴 수 있다.

삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 2018년에 본격 출시할 예정이다.

서버 시스템의 공간활용도를 높인 ‘NGSFF SSD’ 삼성전자는 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격 ‘NGSFF SSD’를 발표했다.

기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 ‘NGSFF SSD’로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있다.

이날 서밋에서 삼성전자는 16TB ‘NGSFF SSD’ 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했고, 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다.

삼성전자는 ‘NGSFF SSD’를 4분기부터 양산해 고객 수요에 대응하고, 내년 1분기에 JEDEC 표준화를 완료하여 데이터센터 및 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정이다.

◆응답속도 최대 12배 향상, 고성능 ‘Z-SSD’ = 이날 함께 발표한 ‘Z-SSD’는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD제품이며, 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲로, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다.

삼성전자는 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 ‘Z-SSD’가 최적의 솔루션이 될 것이라고 밝혔다.

앞서 2016년 삼성전자는 플래시 메모리 서밋에서 처음으로 ‘Z-SSD’를 선보였으며, 현재 ‘Z-SSD’샘플을 통해 다양한 업체들과 협력방안을 논의 중이다.

◆저장방식 혁신, 신개념 ‘키 밸류 SSD’ = 삼성전자는 이날 서밋에서 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 ‘키 밸류 SSD’도 함께 선보였다.

기존 SSD의 경우 다양한 종류, 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용하고 있으나, ‘키 밸류 SSD’ 기술을 적용하면 별도의 전환과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있어 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고, 덧붙여 SSD의 수명도 향상 시킬 수 있다.

진교영 삼성전자 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.

<박시현 기자>pcsw@bikorea.net

 

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